期刊导读

内蒙古民族大学学者名录

2内蒙古民旃大学学报2010扯Vf r):o7 s“(2)L。。 r>R其中,n。是电子的有效质量,Ⅱ:,(b)和‰(^)分别是体纵光学声子的产生算符和湮灭算符,波矢A=等,j,是,阶球贝塞尔函数,v。是^(kR)的第n个零点,Vm(☆)是电子一声子相互作用耦合强度嘣”一【恙焉]T1 c去一∥㈩求解能量本征方程H,咖=一丢≥V2咖=E咖,得电子的能量本征值和本征波函数分别为E2煮乎惫(4)‰。,=C。』Mf,√f(kr)‰(p,驴)(5)其中已,尬m是归一化常数,c“=【一矛瓦T瓦万2 i而]丁‰=[%鼎胖】丁㈨’对哈密顿量进行幺正变换U=exp[Ⅱ:,(A)Z。,(☆)一nm(^)尼(%)1(7)其中厶(后)是变分参量,得∥=∥HU(8)电子一声子系统的尝试波函数选为吵。(r,臼,妒)=c吖Mz。J_f(kr)Yi。(口,妒)10)(9)其中10)为无微扰零声子态.则电子一声子系统的能量为E“。,=(哆m1日+I叱m,)=积h22“+薷如m l厶(☆)l2+薷‘嵋。,(^撬(&)(叱mI工(b)‰(日,妒)I哆m,,)+^·c】‘10’对纛(后)取变分,得一。,(后).再代入式(9),可得体系的能量.系统的基态波函数和第一激发态波函数分别为‰(r,帅)=去警㈤…)州啪㈣=屉。。巡高产sit邶…)…)代人式(9).得基态能量为E。,:五警如一枷,,一‰(‰)I2(13)第一激发态能量为E…=南毛一^叫。I z,(七.1)I2(14)Zm r取‰,和峨u构成一个量子比特咖=万1【I‰)+I%,.)】量子比特随时问演化的规律为咖(£)=去【‰(r,l,,妒)exp(一丝竽)+‰“r,臼,妒)exp(一iEno,tt)].量子比特内电子的概率密度分布为Q(r,p,妒)=l咖I2=—}[I币。I2+2哆㈣%.,c。s(0r0.£)+I‰,。l11其中盯。,:鱼学,振荡周期为九 r=i1=孝瓮矿0IEOl】一乜Ⅲ)(15)(16)(17)(18)3数值计算结果与讨论为研究球型量子点中量子比特的性质,选取GaN材料进行数值计算,其中m+=0.15In。勖=9.6,占。=5.35,量子点半径R=20nto.数值计算结果列于图1至图4中.图1表示量子比特振荡周期随量子点半径的变化关系.由图1可见,振荡周期随半径的增大而增大.这是因为随着半径的增大,第一激发态与基态的能量差减小,导致振荡周期增大.且由于球型量子点具有球对称性,量子比特的振荡周期只与量子点半径有关.图2表示在时刻£:—_1丁,0:孚时,量子比特内电子的概率密度随半径的变化关系.由图2可见,概率密度随半径的 jZ增大而减小.在球心概率密度最大,在球面概率密度为零,这是因为无限深势阱导致电子只能在球内运动所致.

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